Transistor FET e MOSFET - RPtronics. Pagina 2 di 11

BS250FTA

Transistor a canale P BS250FTA, SOT-23, -45V. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -45V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids...

0.59fr

Quantità in magazzino: 2416

BS250P

Transistor a canale P BS250P, TO-92, 0.23A, -45V, 500nA, TO-92, 45V. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): -. ID (T=25°C): 0.23A. Tensione drain-source Uds [V]: -45V. Idss (massimo): 500nA...

1.03fr

+2687 velocemente
Quantità in magazzino: 245

BSP171P

Transistor a canale P BSP171P, SOT-223, -60V. Alloggiamento: SOT-223. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -60V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Id...

2.41fr

Quantità in magazzino: 23

BSP250

Transistor a canale P BSP250, SOT223, -30V. Alloggiamento: SOT223. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. : migliorato. Assemblaggio/installazione: SMD. Assorbimento di cor...

0.83fr

+15 velocemente
Quantità in magazzino: 1997

BSP316

Transistor a canale P BSP316, SOT-223, -100V. Alloggiamento: SOT-223. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -100V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ I...

0.73fr

Quantità in magazzino: 210

BSP92PL6327

Transistor a canale P BSP92PL6327, SOT-223, -250V. Alloggiamento: SOT-223. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -250V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm...

0.61fr

Quantità in magazzino: 533

BSS83P

Transistor a canale P BSS83P, SOT23. Alloggiamento: SOT23. Assemblaggio/installazione: SMD. Caratteristiche: -. DRUCE CORRENTE: -330mA. Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua): 330mA. Informazion...

0.21fr

+100 velocemente
Quantità in magazzino: 260

BSS84

Transistor a canale P BSS84, SOT-23 ( TO-236 ), 130mA, 46.4k Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 50V. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). ID (T=25°C): 130mA. Idss (massimo): 46.4k Ohms. Custodia (secondo scheda te...

0.0582fr

+22480 velocemente
Quantità in magazzino: 379

BSS84-215-PD

Transistor a canale P BSS84-215-PD, SOT-23, TO-236AB, -50V. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236AB. Tensione drain-source Uds [V]: -50V. Assorbimento di corrente attraverso il resi...

0.19fr

Quantità in magazzino: 6051

BSS84AK

Transistor a canale P BSS84AK, SOT-23, TO-236AB, -50V. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236AB. Tensione drain-source Uds [V]: -50V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore...

0.29fr

Quantità in magazzino: 5000

BSS84LT1G-PD

Transistor a canale P BSS84LT1G-PD, SOT-23, TO-236AB, -50V. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236AB. Tensione drain-source Uds [V]: -50V. Assorbimento di corrente attraverso il resi...

0.20fr

Quantità in magazzino: 39752

BUZ906

Transistor a canale P BUZ906, 8A, 10mA, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 10mA. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio Vds(max)...

28.11fr

Quantità in magazzino: 1

DMG2305UX-7

Transistor a canale P DMG2305UX-7, SOT23. Alloggiamento: SOT23. : migliorato. Assemblaggio/installazione: SMD. DRUCE CORRENTE: -3.3A. Polarità: unipolari. Potenza: 1.4W. Resistenza allo stato: 0.2 Oh...

0.37fr

Quantità in magazzino: 10

DMP3020LSS

Transistor a canale P DMP3020LSS, 12A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 1uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/i...

1.42fr

Quantità in magazzino: 33

ECW20P20

Transistor a canale P ECW20P20, 16A, 10mA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. ID (T=25°C): 16A. Idss (massimo): 10mA. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Voltag...

19.06fr

Prodotto obsoleto
Esaurito

ECX10P20

Transistor a canale P ECX10P20, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 10mA. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 200V. Asse...

9.01fr

Quantità in magazzino: 56

FDC365P

Transistor a canale P FDC365P, 4.3A, 1uA, TSOP, SUPERSOT-6, 35V. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (massimo): 1uA. Alloggiamento: TSOP. Custodia (secondo scheda tecnica): SUPERSOT-6. Voltaggio Vds(max): 35V. A...

0.39fr

Quantità in magazzino: 16

FDC638P

Transistor a canale P FDC638P, SOT-23/6, -20V. Alloggiamento: SOT-23/6. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -20V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ ...

0.98fr

Quantità in magazzino: 552

FDC642P

Transistor a canale P FDC642P, 4A, 10uA, TSOP, SUPERSOT-6, 20V. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 10uA. Alloggiamento: TSOP. Custodia (secondo scheda tecnica): SUPERSOT-6. Voltaggio Vds(max): 20V. Ass...

0.83fr

Quantità in magazzino: 31

FDC642P-F085

Transistor a canale P FDC642P-F085, 4A, 1uA, SSOT, SUPERSOT-6, 20V. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 1uA. Alloggiamento: SSOT. Custodia (secondo scheda tecnica): SUPERSOT-6. Voltaggio Vds(max): 20V. ...

0.89fr

Quantità in magazzino: 100

FDD4141

Transistor a canale P FDD4141, 58A, 1uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. ID (T=25°C): 58A. Idss (massimo): 1uA. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda...

1.31fr

Quantità in magazzino: 83

FDD4243

Transistor a canale P FDD4243, TO252, DPAK. Alloggiamento: TO252, DPAK. Assemblaggio/installazione: SMD. Carica: 21.3nC, 29nC. DRUCE CORRENTE: -14A. Numero di output: 1. Polarità: unipolari. Potenza:...

2.14fr

Quantità in magazzino: 10

FDD5614P

Transistor a canale P FDD5614P, D-PAK ( TO-252 ), TO-252, -60V, 15A, 1uA, TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (standard JEDEC): TO-252. Tensione drain...

1.88fr

Quantità in magazzino: 115

FDD6685

Transistor a canale P FDD6685, 40A, 1uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=25°C): 40A. Idss (massimo): 1uA. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo sched...

1.37fr

Quantità in magazzino: 186