Transistor FET e MOSFET

251 prodotti disponibili nella categoria Transistor FET e MOSFET, tutti di produttori originali, ad esempio Nec, Nxp, Alpha & Omega Semiconductor, ROHM, Samsung, e altri 40 produttori

FDN306P

Transistor a canale P FDN306P, SOT-23, -12V. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -12V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids ...

0.66fr

Quantità in magazzino: 2305

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FDN338P

Transistor a canale P FDN338P, 1.6A, 0.1uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 20V. ID (T=25°C): 1.6A. Idss (massimo): 0.1uA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Volt...

0.47fr

Quantità in magazzino: 92

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FDN358P

Transistor a canale P FDN358P, SOT-23 ( TO-236 ), -30V, 1.5A, 10uA, SOT-23, 30 v. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. ID (T=25°C): 1.5...

0.50fr

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FDN5618P

Transistor a canale P FDN5618P, SOT-23, -60V. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -60V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids...

1.22fr

Quantità in magazzino: 5029

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FDS4435

Transistor a canale P FDS4435, 8.8A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (massimo): 1uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/in...

0.91fr

Quantità in magazzino: 9

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FDS4435A

Transistor a canale P FDS4435A, 9A, 10uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 10uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/ins...

0.95fr

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FDS4435BZ

Transistor a canale P FDS4435BZ, SO, 8.8A, 1uA, SO-8, 30 v. Alloggiamento: SO. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (massimo): 1uA. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. : migliorato....

1.11fr

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FDS4935A

Transistor a canale P FDS4935A, SO, SO-8, 30 v. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (S...

1.14fr

Quantità in magazzino: 225

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FDS4935BZ

Transistor a canale P FDS4935BZ, SO, SO-8. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. ...

1.12fr

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FDS6675BZ

Transistor a canale P FDS6675BZ, SO, -30V, 11A, 1uA, SO-8, 30 v. Alloggiamento: SO. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 1uA. Custodia ...

0.98fr

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FDS6679AZ

Transistor a canale P FDS6679AZ, 13A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 13A. Idss (massimo): 1uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/in...

1.07fr

Quantità in magazzino: 11

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FDS9435A

Transistor a canale P FDS9435A, SO, -30V, 5.3A, 100nA, SO-8, 30 v. Alloggiamento: SO. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. ID (T=25°C): 5.3A. Idss (massimo): 100nA. Cust...

0.75fr

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FDS9933A

Transistor a canale P FDS9933A, SO, SO-8. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Funzione: Transistor MOSFET...

1.23fr

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FDV304P

Transistor a canale P FDV304P, SOT-23 ( TO-236 ), -25V, 0.46A, 10uA, SOT-23 ( TO236 ), 25V. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -25V. ID (T=2...

0.12fr

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Min.: 5

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FQA36P15

Transistor a canale P FQA36P15, 36A, 100uA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. ID (T=25°C): 36A. Idss (massimo): 100uA. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): T...

4.50fr

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FQB27P06TM

Transistor a canale P FQB27P06TM, 27A, 10uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 60V. ID (T=25°C): 27A. Idss (massimo): 10uA. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK...

1.30fr

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FQP3P50

Transistor a canale P FQP3P50, TO-220, 2.7A, 10uA, TO220, 500V. Alloggiamento: TO-220. ID (T=25°C): 2.7A. Idss (massimo): 10uA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO220. Voltaggio Vds(max): 500V. Ass...

1.27fr

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FQU11P06

Transistor a canale P FQU11P06, 9.4A, 10uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V. ID (T=25°C): 9.4A. Idss (massimo): 10uA. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-...

1.20fr

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GT20D201

Transistor a canale P GT20D201, 20A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1C ), 250V. Ic(T=100°C): 20A. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264 ( 2-21F1C ). Voltaggio ...

20.44fr

Prodotto obsoleto
Esaurito

IRF4905

Transistor a canale P IRF4905, TO-220, 74A, 250uA, TO-220AB, 55V. Alloggiamento: TO-220. ID (T=25°C): 74A. Idss (massimo): 250uA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V....

2.29fr

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IRF4905PBF

Transistor a canale P IRF4905PBF, TO220AB, -55V, 74A, -55V. Alloggiamento: TO220AB. Tensione drain-source (Vds): -55V. Corrente di assorbimento massima: 74A. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione dra...

2.94fr

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IRF4905SPBF

Transistor a canale P IRF4905SPBF, D2PAK ( TO-263 ), TO-263, -55V, 70A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), 55V. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]:...

2.23fr

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IRF4905STRLPBF

Transistor a canale P IRF4905STRLPBF, D²-PAK, TO-263, -55V. Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: -55V. Assorbimento di corrente attraverso il resi...

4.17fr

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IRF5210

Transistor a canale P IRF5210, TO-220, 40A, 250uA, TO-220AB, 100V. Alloggiamento: TO-220. ID (T=25°C): 40A. Idss (massimo): 250uA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100...

2.31fr

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