Transistor FET e MOSFET

248 prodotti disponibili nella categoria Transistor FET e MOSFET, tutti di produttori originali, ad esempio Fairchild, Onsemi (fairchild), Vishay, Yangjie Electronic Technology, Alpha & Omega Semiconductor, e altri 38 produttori

Tensione massima Vds

20V (8)25V (2)30 v (29)35V (2)40V (6)45V (1)50V (2)55V (11)60V (22)100V (16)150V (2)200V (19)250V (5)500V (1)

Corrente massima (Id)

0.1A (1)0.7A (1)0.12A (1)0.23A (1)0.46A (1)0.56A (1)1.1A (2)1.5A (2)1.6A (1)1.8A (2)1A (1)2.3A (1)2.4A (1)2.7A (1)2.45A (1)3.4A (1)3.5A (2)3.6A (1)3.7A (1)3A (3)4.1A (1)4.3A (3)4.4A (1)4.5A (1)4.6A (1)4.7A (1)4A (3)5.1A (1)5.3A (2)5.6A (1)5A (2)6.5A (1)6.6A (1)6.8A (2)6A (1)6mA (1)7.1A (1)7.3A (1)7A (1)8.7A (2)8.8A (7)8A (6)9.2A (1)9.4A (1)9A (1)10A (3)11.4A (1)11A (5)12.5A (1)12A (7)13A (2)14A (1)15A (2)16A (1)17A (1)18.7A (1)18A (2)19A (3)20A (1)23A (2)24A (1)26A (1)27A (1)31A (2)36A (1)38A (1)40A (2)58A (1)70A (1)74A (1)80A (1)85A (1)90A (1)130mA (1)500mA (1)

Custodia del transistor

D-PAK (10)D-PAK ( TO-252 ) (19)D2PAK (2)D2PAK ( TO-263 ) (5)DFN8 (1)DIP (5)DIP-4 (1)DIP4 (5)D²-PAK (9)HD-1 (2)HEXDIP (1)I-PAK (1)ISOPLUS247 ( TO-247 ) (1)ITO-220AB (1)SO (35)SO8 (28)SOT-23 (25)SOT-23 ( TO-236 ) (12)SOT-23/6 (2)SOT-223 (8)SOT-223 ( TO-226 ) (2)SOT23 (8)SOT223 (1)SSOT (2)TO-3 ( TO-204 ) (2)TO-3P (1)TO-3P ( TO-218 SOT-93 ) (1)TO-18 ( TO-206 ) (1)TO-92 (7)TO-220 (23)TO-220AB (16)TO-220FP (8)TO-247 (5)TO-247AC (3)TO-251 ( I-Pak ) (5)TO-264 ( TOP-3L ) (3)TO92 (1)TO220, TO220AB (7)TO220AB (7)TO247 (1)TO247, TO247AC (1)TO251AA, IPAK (1)TO252 (1)TO252, DPAK (1)TO252AA (1)TO252AA, DPAK (3)TSOP (4)saldatura PCB (28)saldatura PCB (SMD) (76)

FDN306P

Transistor a canale P FDN306P, SOT-23, -12V. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -12V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids ...

0.67fr

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FDN338P

Transistor a canale P FDN338P, 1.6A, 0.1uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 20V. ID (T=25°C): 1.6A. Idss (massimo): 0.1uA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Volt...

0.47fr

Quantità in magazzino: 87

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FDN358P

Transistor a canale P FDN358P, SOT-23 ( TO-236 ), -30V, 1.5A, 10uA, SOT-23, 30 v. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. ID (T=25°C): 1.5...

0.50fr

+959 velocemente
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FDN5618P

Transistor a canale P FDN5618P, SOT-23, -60V. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -60V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids...

1.23fr

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FDS4435

Transistor a canale P FDS4435, 8.8A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (massimo): 1uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/in...

0.92fr

Quantità in magazzino: 9

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FDS4435A

Transistor a canale P FDS4435A, 9A, 10uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 10uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/ins...

0.96fr

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FDS4435BZ

Transistor a canale P FDS4435BZ, SO, 8.8A, 1uA, SO-8, 30 v. Alloggiamento: SO. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (massimo): 1uA. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. : migliorato....

1.12fr

+25 velocemente
Quantità in magazzino: 137

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FDS4935A

Transistor a canale P FDS4935A, SO, SO-8, 30 v. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (S...

1.15fr

Quantità in magazzino: 225

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FDS4935BZ

Transistor a canale P FDS4935BZ, SO, SO-8. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. ...

1.13fr

Quantità in magazzino: 161

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FDS6675BZ

Transistor a canale P FDS6675BZ, SO, -30V, 11A, 1uA, SO-8, 30 v. Alloggiamento: SO. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 1uA. Custodia ...

0.99fr

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FDS6679AZ

Transistor a canale P FDS6679AZ, 13A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 13A. Idss (massimo): 1uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/in...

1.08fr

Quantità in magazzino: 11

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FDS9435A

Transistor a canale P FDS9435A, SO, -30V, 5.3A, 100nA, SO-8, 30 v. Alloggiamento: SO. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. ID (T=25°C): 5.3A. Idss (massimo): 100nA. Cust...

0.75fr

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FDS9933A

Transistor a canale P FDS9933A, SO, SO-8. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Funzione: Transistor MOSFET...

1.24fr

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FDV304P

Transistor a canale P FDV304P, SOT-23 ( TO-236 ), -25V, 0.46A, 10uA, SOT-23 ( TO236 ), 25V. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -25V. ID (T=2...

0.12fr

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Min.: 5

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FQA36P15

Transistor a canale P FQA36P15, 36A, 100uA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. ID (T=25°C): 36A. Idss (massimo): 100uA. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): T...

4.54fr

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FQB27P06TM

Transistor a canale P FQB27P06TM, 27A, 10uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 60V. ID (T=25°C): 27A. Idss (massimo): 10uA. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK...

1.31fr

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FQP3P50

Transistor a canale P FQP3P50, TO-220, 2.7A, 10uA, TO220, 500V. Alloggiamento: TO-220. ID (T=25°C): 2.7A. Idss (massimo): 10uA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO220. Voltaggio Vds(max): 500V. Ass...

1.28fr

Esaurito
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FQU11P06

Transistor a canale P FQU11P06, 9.4A, 10uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V. ID (T=25°C): 9.4A. Idss (massimo): 10uA. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-...

1.21fr

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GT20D201

Transistor a canale P GT20D201, 20A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1C ), 250V. Ic(T=100°C): 20A. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264 ( 2-21F1C ). Voltaggio ...

20.64fr

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IRF4905

Transistor a canale P IRF4905, TO-220, 74A, 250uA, TO-220AB, 55V. Alloggiamento: TO-220. ID (T=25°C): 74A. Idss (massimo): 250uA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V....

2.31fr

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IRF4905PBF

Transistor a canale P IRF4905PBF, TO220AB, -55V, 74A, -55V. Alloggiamento: TO220AB. Tensione drain-source (Vds): -55V. Corrente di assorbimento massima: 74A. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione dra...

2.97fr

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IRF4905SPBF

Transistor a canale P IRF4905SPBF, D2PAK ( TO-263 ), TO-263, -55V, 70A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), 55V. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]:...

2.25fr

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IRF4905STRLPBF

Transistor a canale P IRF4905STRLPBF, D²-PAK, TO-263, -55V. Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: -55V. Assorbimento di corrente attraverso il resi...

4.21fr

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IRF5210

Transistor a canale P IRF5210, TO-220, 40A, 250uA, TO-220AB, 100V. Alloggiamento: TO-220. ID (T=25°C): 40A. Idss (massimo): 250uA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100...

2.33fr

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