Transistor FET e MOSFET

248 prodotti disponibili nella categoria Transistor FET e MOSFET, tutti di produttori originali, ad esempio Taiwan Semiconductor, Zetex, Diotec, Hitachi, Toshiba, e altri 42 produttori

Tensione massima Vds

-12V (6)-20V (13)-25V (1)-30V (23)-40V (1)-45V (2)-50V (4)-55V (3)-60V (1)-100V (8)-160V (1)-200V (4)-240V (1)-250V (1)20V (8)25V (2)30 v (29)30V (2)35V (2)40V (6)45V (1)50V (2)55V (11)60V (22)100V (16)150V (2)200V (19)250V (5)600V (1)630V (1)

Corrente massima (Id)

0.1A (1)0.1uA (1)0.7A (1)0.12A (1)0.23A (1)0.46A (1)0.56A (1)1.1A (2)1.5A (2)1.6A (1)1.8A (2)1A (1)1uA (12)2.3A (1)2.4A (1)2.45A (1)3.4A (1)3.5A (2)3.6A (1)3.7A (1)3A (3)4.1A (1)4.3A (3)4.4A (1)4.5A (1)4.6A (1)4.7A (1)4A (3)5.1A (1)5.3A (2)5.6A (1)5A (2)5mA (1)5nA (1)5uA (9)6.5A (1)6.6A (1)6.8A (2)6A (1)6mA (1)7.1A (1)7.3A (1)7A (1)8.7A (2)8.8A (7)8A (6)9.2A (1)9.4A (1)9A (1)9mA (1)10A (3)10mA (4)10nA (1)10uA (1)11.4A (1)11A (5)12.5A (1)12A (7)13A (2)14A (1)15A (2)15mA (1)16A (1)17A (1)18.7A (1)18A (2)19A (3)20A (1)20mA (1)21A (1)23A (2)24A (1)25mA (1)25uA (1)26A (1)27A (1)30A (1)31A (2)36A (1)38A (1)40A (2)46.4k Ohms (1)50uA (1)58A (1)60mA (1)70A (1)74A (1)80A (1)85A (1)90A (1)100nA (1)100uA (6)130mA (1)150uA (1)200A (1)200uA (1)250mA (1)250uA (21)500mA (1)500nA (1)500uA (17)

Custodia del transistor

D-PAK (10)D-PAK ( TO-252 ) (19)D-PAK ( TO-252AA ) (1)D-PAK TO-252AA (2)D2PAK (2)D2PAK ( TO-263 ) (5)DH-1 house, DIP-4 (5)DIP (5)DIP-4 (1)DIP4 (5)D²-PAK (9)HD-1 (2)HEXDIP (1)I-PAK (1)ISOPLUS247 (1)ISOPLUS247 ( TO-247 ) (1)ITO-220AB (1)MS-012 (5)PG-TO220-3 (1)SO (35)SO-8 (34)SO8 (27)SOP-8 (1)SOT-23 (25)SOT-23 ( TO-236 ) (12)SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ) (2)SOT-23 ( TO236 ) (7)SOT-23/6 (2)SOT-223 (8)SOT-223 ( TO-226 ) (2)SOT23 (9)SOT223 (1)SSOT (2)SSOT-3 ( SuperSOT-3 ) (1)SUPERSOT-6 (3)TO-3 (1)TO-3 ( TO-204 ) (2)TO-3 ( TO-204AA ) (1)TO-3P (1)TO-3P ( TO-218 SOT-93 ) (1)TO-18 (1)TO-18 ( TO-206 ) (1)TO-92 (6)TO-220 (22)TO-220AB (17)TO-220AB <.45/32nsec (1)TO-220F (4)TO-220FP (8)TO-236AB (4)TO-247 (5)TO-247AC (3)TO-251 ( I-Pak ) (5)TO-251AA ( I-PAK ) (3)TO-252 (10)TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) (1)TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) (13)TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ) (4)TO-263 (9)TO-264 (2)TO-264 ( 2-21F1C ) (1)TO-264 ( TOP-3L ) (3)TO220, TO220AB (6)TO220AB (7)TO247 (1)TO247, TO247AC (1)TO251AA, IPAK (1)TO252 (1)TO252AA (1)TO252AA, DPAK (2)TSMT6 (1)TSOP (4)TSOP-6 (1)saldatura PCB (27)saldatura PCB (SMD) (74)

MTP50P03HDLG

Transistor a canale P MTP50P03HDLG, TO-220AB, -30V. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Oh...

6.44fr

Quantità in magazzino: 189

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NDP6020P

Transistor a canale P NDP6020P, -20V. Tensione drain-source Uds [V]: -20V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -24A. Capacità del gate Ciss [pF]: 1590pF....

10.90fr

+91 velocemente
Quantità in magazzino: 227

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NDS0610

Transistor a canale P NDS0610, 0.12A, 200uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V. ID (T=25°C): 0.12A. Idss (massimo): 200uA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Vo...

0.11fr

Quantità in magazzino: 194

Min.: 5

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NDS332P

Transistor a canale P NDS332P, 1A, 10uA, SSOT, SSOT-3 ( SuperSOT-3 ), 20V. ID (T=25°C): 1A. Idss (massimo): 10uA. Alloggiamento: SSOT. Custodia (secondo scheda tecnica): SSOT-3 ( SuperSOT-3 ). Voltag...

0.21fr

+1140 velocemente
Quantità in magazzino: 959

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NDS352AP

Transistor a canale P NDS352AP, SOT-23, -30V. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids...

0.45fr

Quantità in magazzino: 560

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NDS9948

Transistor a canale P NDS9948, 2.3A, SO, SO-8, 60V. ID (T=25°C): 2.3A. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 60V. Assemblaggio/installazione: componente a mo...

0.85fr

Quantità in magazzino: 128

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NDT452AP

Transistor a canale P NDT452AP, SOT-223, -30V. Alloggiamento: SOT-223. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ I...

1.98fr

Quantità in magazzino: 1017

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NDT456P

Transistor a canale P NDT456P, SOT-223, -30V. Alloggiamento: SOT-223. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Id...

2.97fr

Quantità in magazzino: 1581

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NTD20P06LT4G

Transistor a canale P NTD20P06LT4G, D-PAK, TO-252, -60V. Alloggiamento: D-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Tensione drain-source Uds [V]: -60V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore ...

1.66fr

+163 velocemente
Quantità in magazzino: 2590

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NTD2955-1G

Transistor a canale P NTD2955-1G, TO-251 ( I-Pak ), -60V, 12A, 100uA, TO-251 ( I-Pak ), 60V. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -60V. ID (T=2...

0.70fr

+170 velocemente
Quantità in magazzino: 107

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NTD2955-T4G

Transistor a canale P NTD2955-T4G, D-PAK, TO-252, -60V. Alloggiamento: D-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Tensione drain-source Uds [V]: -60V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore R...

0.99fr

Quantità in magazzino: 1674

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NTD2955T4

Transistor a canale P NTD2955T4, 12A, 100uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 100uA. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo ...

0.86fr

Quantità in magazzino: 192

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P2803NVG

Transistor a canale P P2803NVG, SO, SOP-8. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SOP-8. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Funzione: 27.5 & 34m Ohms...

9.01fr

Quantità in magazzino: 1

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P5504ED

Transistor a canale P P5504ED, 8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 10uA. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda...

1.87fr

Quantità in magazzino: 751

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RFD8P05SM

Transistor a canale P RFD8P05SM, 8A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 25uA. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo sche...

1.70fr

Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 146

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RJP63F4A

Transistor a canale P RJP63F4A, TO-220FP, TO-220F, 630V. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 630V. Assemblaggio/installazione: mo...

13.70fr

Prodotto obsoleto
Esaurito

RSQ035P03

Transistor a canale P RSQ035P03, 3.5A, 1uA, TSOP, TSMT6, 30 v. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (massimo): 1uA. Alloggiamento: TSOP. Custodia (secondo scheda tecnica): TSMT6. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assembl...

0.76fr

Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 65

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SFP9630

Transistor a canale P SFP9630, 4.4A, 4.4A, TO-220FP, TO-220F, 200V. ID (T=25°C): 4.4A. Idss (massimo): 4.4A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 2...

1.06fr

Quantità in magazzino: 37

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SFS9620

Transistor a canale P SFS9620, 3A, 3A, 200V. ID (T=25°C): 3A. Idss (massimo): 3A. Voltaggio Vds(max): 200V. Funzione: Transistor MOSFET a canale P. Pd (dissipazione di potenza, massima): 28W. Quantit...

1.31fr

Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 38

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SFS9634

Transistor a canale P SFS9634, 3.4A, 3.4A, 250V. ID (T=25°C): 3.4A. Idss (massimo): 3.4A. Voltaggio Vds(max): 250V. Funzione: Transistor MOSFET a canale P. ID (T=100°C): 2.6A. Nota: On 13ns, Off 40n...

1.85fr

Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 236

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SI2307BDS

Transistor a canale P SI2307BDS, SOT-23, -30V. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Id...

2.23fr

Quantità in magazzino: 8051

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SI2307BDS-T1-BE3

Transistor a canale P SI2307BDS-T1-BE3, SOT-23, -30V. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Oh...

1.98fr

Quantità in magazzino: 3000

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SI2307CDS

Transistor a canale P SI2307CDS, SOT-23, -30V. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Id...

1.23fr

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Quantità in magazzino: 14902

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SI2309CDS-T1-GE3

Transistor a canale P SI2309CDS-T1-GE3, SOT-23, MS-012, -60V. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): MS-012. Tensione drain-source Uds [V]: -60V. Assorbimento di corrente attraverso il resi...

0.99fr

Quantità in magazzino: 6013

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