Transistor FET e MOSFET

251 prodotti disponibili nella categoria Transistor FET e MOSFET, tutti di produttori originali, ad esempio Cfcomp, Vishay, Infineon, Diotec, ROHM, e altri 40 produttori

MTP50P03HDLG

Transistor a canale P MTP50P03HDLG, TO-220AB, -30V. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Oh...

6.38fr

Quantità in magazzino: 189

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NDP6020P

Transistor a canale P NDP6020P, -20V. Tensione drain-source Uds [V]: -20V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -24A. Capacità del gate Ciss [pF]: 1590pF....

10.80fr

+91 velocemente
Quantità in magazzino: 236

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NDS0610

Transistor a canale P NDS0610, 0.12A, 200uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V. ID (T=25°C): 0.12A. Idss (massimo): 200uA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Vo...

0.11fr

Quantità in magazzino: 194

Min.: 5

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NDS332P

Transistor a canale P NDS332P, 1A, 10uA, SSOT, SSOT-3 ( SuperSOT-3 ), 20V. ID (T=25°C): 1A. Idss (massimo): 10uA. Alloggiamento: SSOT. Custodia (secondo scheda tecnica): SSOT-3 ( SuperSOT-3 ). Voltag...

0.21fr

+1140 velocemente
Quantità in magazzino: 959

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NDS352AP

Transistor a canale P NDS352AP, SOT-23, -30V. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids...

0.44fr

Quantità in magazzino: 560

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NDS9948

Transistor a canale P NDS9948, 2.3A, SO, SO-8, 60V. ID (T=25°C): 2.3A. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 60V. Assemblaggio/installazione: componente a mo...

0.85fr

Quantità in magazzino: 128

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NDT452AP

Transistor a canale P NDT452AP, SOT-223, -30V. Alloggiamento: SOT-223. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ I...

1.96fr

Quantità in magazzino: 1017

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NDT456P

Transistor a canale P NDT456P, SOT-223, -30V. Alloggiamento: SOT-223. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Id...

2.94fr

Quantità in magazzino: 1581

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NTD20P06LT4G

Transistor a canale P NTD20P06LT4G, D-PAK, TO-252, -60V. Alloggiamento: D-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Tensione drain-source Uds [V]: -60V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore ...

1.65fr

+163 velocemente
Quantità in magazzino: 2590

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NTD2955-1G

Transistor a canale P NTD2955-1G, TO-251 ( I-Pak ), -60V, 12A, 100uA, TO-251 ( I-Pak ), 60V. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -60V. ID (T=2...

0.69fr

+170 velocemente
Quantità in magazzino: 107

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NTD2955-T4G

Transistor a canale P NTD2955-T4G, D-PAK, TO-252, -60V. Alloggiamento: D-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Tensione drain-source Uds [V]: -60V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore R...

0.98fr

Quantità in magazzino: 1674

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NTD2955T4

Transistor a canale P NTD2955T4, 12A, 100uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 100uA. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo ...

0.85fr

Quantità in magazzino: 192

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P2803NVG

Transistor a canale P P2803NVG, SO, SOP-8. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SOP-8. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Funzione: 27.5 & 34m Ohms...

8.92fr

Quantità in magazzino: 1

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P5504ED

Transistor a canale P P5504ED, 8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 10uA. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda...

1.86fr

Quantità in magazzino: 751

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RFD8P05SM

Transistor a canale P RFD8P05SM, 8A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 25uA. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo sche...

1.68fr

Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 146

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RJP63F4A

Transistor a canale P RJP63F4A, TO-220FP, TO-220F, 630V. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 630V. Assemblaggio/installazione: mo...

13.56fr

Prodotto obsoleto
Esaurito

RSQ035P03

Transistor a canale P RSQ035P03, 3.5A, 1uA, TSOP, TSMT6, 30 v. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (massimo): 1uA. Alloggiamento: TSOP. Custodia (secondo scheda tecnica): TSMT6. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assembl...

0.75fr

Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 65

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SFP9630

Transistor a canale P SFP9630, 4.4A, 4.4A, TO-220FP, TO-220F, 200V. ID (T=25°C): 4.4A. Idss (massimo): 4.4A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 2...

1.05fr

Quantità in magazzino: 37

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SFS9620

Transistor a canale P SFS9620, 3A, 3A, 200V. ID (T=25°C): 3A. Idss (massimo): 3A. Voltaggio Vds(max): 200V. Funzione: Transistor MOSFET a canale P. Pd (dissipazione di potenza, massima): 28W. Quantit...

1.30fr

Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 38

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SFS9634

Transistor a canale P SFS9634, 3.4A, 3.4A, 250V. ID (T=25°C): 3.4A. Idss (massimo): 3.4A. Voltaggio Vds(max): 250V. Funzione: Transistor MOSFET a canale P. ID (T=100°C): 2.6A. Nota: On 13ns, Off 40n...

1.83fr

Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 236

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SI2307BDS

Transistor a canale P SI2307BDS, SOT-23, -30V. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Id...

2.20fr

Quantità in magazzino: 8052

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SI2307BDS-T1-BE3

Transistor a canale P SI2307BDS-T1-BE3, SOT-23, -30V. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Oh...

1.96fr

Quantità in magazzino: 3000

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SI2307CDS

Transistor a canale P SI2307CDS, SOT-23, -30V. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Id...

1.22fr

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Quantità in magazzino: 14932

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SI2309CDS-T1-GE3

Transistor a canale P SI2309CDS-T1-GE3, SOT-23, MS-012, -60V. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): MS-012. Tensione drain-source Uds [V]: -60V. Assorbimento di corrente attraverso il resi...

0.98fr

Quantità in magazzino: 6013

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