SI2315BDS-T1-E3 Transistor a canale P SI2315BDS-T1-E3, SOT-23, -12V. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -12V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm... 0.61fr Quantità in magazzino: 12665 Quantità per SI2315BDS-T1-E3 Aggiungi al carrello
SI2319CDS-T1-GE3 Transistor a canale P SI2319CDS-T1-GE3, SOT-23, -40V. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -40V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Oh... 0.65fr Quantità in magazzino: 2000 Quantità per SI2319CDS-T1-GE3 Aggiungi al carrello
SI2323DS-T1-E3 Transistor a canale P SI2323DS-T1-E3, SOT-23, -20V. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -20V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm]... 1.96fr Quantità in magazzino: 3353 Quantità per SI2323DS-T1-E3 Aggiungi al carrello
SI2333CDS-T1-GE3 Transistor a canale P SI2333CDS-T1-GE3, SOT-23, -12V. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -12V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Oh... 0.98fr Quantità in magazzino: 2126 Quantità per SI2333CDS-T1-GE3 Aggiungi al carrello
SI2333DDS-T1-GE3 Transistor a canale P SI2333DDS-T1-GE3, SOT-23, -12V. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -12V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Oh... 1.22fr Quantità in magazzino: 8703 Quantità per SI2333DDS-T1-GE3 Aggiungi al carrello
SI3441BD Transistor a canale P SI3441BD, 2.45A, 5nA, TSOP, TSOP-6, 20V. ID (T=25°C): 2.45A. Idss (massimo): 5nA. Alloggiamento: TSOP. Custodia (secondo scheda tecnica): TSOP-6. Voltaggio Vds(max): 20V. Assemb... 0.26fr Quantità in magazzino: 2713 Quantità per SI3441BD Aggiungi al carrello
SI4401BDY Transistor a canale P SI4401BDY, 8.7A, 10uA, SO, SO-8, 40V. ID (T=25°C): 8.7A. Idss (massimo): 10uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 40V. Assemblaggio/... 1.55fr Quantità in magazzino: 82 Quantità per SI4401BDY Aggiungi al carrello
SI4401DY Transistor a canale P SI4401DY, 8.7A, 10uA, SO, SO-8, 40V. ID (T=25°C): 8.7A. Idss (massimo): 10uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 40V. Assemblaggio/i... 2.64fr Equivalenza disponibile Quantità in magazzino: 4 Quantità per SI4401DY Aggiungi al carrello
SI4425BDY Transistor a canale P SI4425BDY, 11.4A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 11.4A. Idss (massimo): 5uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggi... 1.41fr Quantità in magazzino: 36 Quantità per SI4425BDY Aggiungi al carrello
SI4431BDY-T1-E3 Transistor a canale P SI4431BDY-T1-E3, SO8, MS-012, -30V. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): MS-012. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore R... 1.44fr Quantità in magazzino: 18549 Quantità per SI4431BDY-T1-E3 Aggiungi al carrello
SI4431CDY-T1-GE3 Transistor a canale P SI4431CDY-T1-GE3, SO8, MS-012, -30V. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): MS-012. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore ... 0.85fr Quantità in magazzino: 2286 Quantità per SI4431CDY-T1-GE3 Aggiungi al carrello
SI4435BDY Transistor a canale P SI4435BDY, 7A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 7A. Idss (massimo): 5uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/inst... 0.57fr Quantità in magazzino: 2093 Quantità per SI4435BDY Aggiungi al carrello
SI4435DDY Transistor a canale P SI4435DDY, SO8. Alloggiamento: SO8. Assemblaggio/installazione: SMD. Carica: 50nC. DRUCE CORRENTE: -6.5A, -8.1A. Polarità: unipolari. Potenza: 5W. RoHS: sì. Tensione di gate-so... 1.26fr Quantità in magazzino: 15 Quantità per SI4435DDY Aggiungi al carrello
SI4435DY Transistor a canale P SI4435DY, 8.8A, 8.8A, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (massimo): 8.8A. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio... 1.00fr Quantità in magazzino: 16 Quantità per SI4435DY Aggiungi al carrello
SI4925BDY Transistor a canale P SI4925BDY, 7.1A, 7.1A, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 7.1A. Idss (massimo): 7.1A. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggi... 1.36fr Quantità in magazzino: 2254 Quantità per SI4925BDY Aggiungi al carrello
SI4925DDY Transistor a canale P SI4925DDY, 7.3A, 7.3A, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 7.3A. Idss (massimo): 7.3A. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggi... 1.14fr Quantità in magazzino: 49 Quantità per SI4925DDY Aggiungi al carrello
SI4948BEY Transistor a canale P SI4948BEY, 2.4A, 2.4A, SO, SO-8, 60V. ID (T=25°C): 2.4A. Idss (massimo): 2.4A. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 60V. Assemblaggio/... 1.08fr Quantità in magazzino: 264 Quantità per SI4948BEY Aggiungi al carrello
SI4948BEY-T1-GE3 Transistor a canale P SI4948BEY-T1-GE3, SO8, MS-012, 60V. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): MS-012. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rd... 1.96fr Quantità in magazzino: 238 Quantità per SI4948BEY-T1-GE3 Aggiungi al carrello
SI9407BDY Transistor a canale P SI9407BDY, 4.7A, 10nA, SO, SO-8, 60V. ID (T=25°C): 4.7A. Idss (massimo): 10nA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 60V. Assemblaggio/... 0.92fr Quantità in magazzino: 45 Quantità per SI9407BDY Aggiungi al carrello
SI9435BDY Transistor a canale P SI9435BDY, 5.3A, 5.3A, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 5.3A. Idss (massimo): 5.3A. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggi... 1.26fr Equivalenza disponibile Quantità in magazzino: 26 Quantità per SI9435BDY Aggiungi al carrello
SI9953DY Transistor a canale P SI9953DY, SO8, MS-012, -20V. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): MS-012. Tensione drain-source Uds [V]: -20V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm... 0.41fr Quantità in magazzino: 34 Quantità per SI9953DY Aggiungi al carrello
SPD08P06P Transistor a canale P SPD08P06P, 8.8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (massimo): 10uA. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo ... 1.07fr Quantità in magazzino: 92 Quantità per SPD08P06P Aggiungi al carrello
SPP08P06P Transistor a canale P SPP08P06P, 8.8A, 1uA, TO-220, PG-TO220-3, 60V. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (massimo): 1uA. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): PG-TO220-3. Voltaggio Vds(max): ... 2.04fr Prodotto obsoleto Esaurito
SPP18P06P Transistor a canale P SPP18P06P, 18.7A, 10uA, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=25°C): 18.7A. Idss (massimo): 10uA. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 60V.... 2.20fr Quantità in magazzino: 12 Quantità per SPP18P06P Aggiungi al carrello
