Transistor FET e MOSFET

248 prodotti disponibili nella categoria Transistor FET e MOSFET, tutti di produttori originali, ad esempio Infineon Technologies, International Rectifier, Onsemi (fairchild), Infineon, Diodes Incorporated, e altri 42 produttori

Tensione massima Vds

-12V (6)-20V (13)-25V (1)-30V (23)-40V (1)-45V (2)-50V (4)-55V (3)-60V (1)-100V (8)-160V (1)-200V (4)-240V (1)-250V (1)20V (8)25V (2)30 v (29)30V (2)35V (2)40V (6)45V (1)50V (2)55V (11)60V (22)100V (16)150V (2)200V (19)250V (5)600V (1)630V (1)

Corrente massima (Id)

0.1A (1)0.1uA (1)0.7A (1)0.12A (1)0.23A (1)0.46A (1)0.56A (1)1.1A (2)1.5A (2)1.6A (1)1.8A (2)1A (1)1uA (12)2.3A (1)2.4A (1)2.45A (1)3.4A (1)3.5A (2)3.6A (1)3.7A (1)3A (3)4.1A (1)4.3A (3)4.4A (1)4.5A (1)4.6A (1)4.7A (1)4A (3)5.1A (1)5.3A (2)5.6A (1)5A (2)5mA (1)5nA (1)5uA (9)6.5A (1)6.6A (1)6.8A (2)6A (1)6mA (1)7.1A (1)7.3A (1)7A (1)8.7A (2)8.8A (7)8A (6)9.2A (1)9.4A (1)9A (1)9mA (1)10A (3)10mA (4)10nA (1)10uA (1)11.4A (1)11A (5)12.5A (1)12A (7)13A (2)14A (1)15A (2)15mA (1)16A (1)17A (1)18.7A (1)18A (2)19A (3)20A (1)20mA (1)21A (1)23A (2)24A (1)25mA (1)25uA (1)26A (1)27A (1)30A (1)31A (2)36A (1)38A (1)40A (2)46.4k Ohms (1)50uA (1)58A (1)60mA (1)70A (1)74A (1)80A (1)85A (1)90A (1)100nA (1)100uA (6)130mA (1)150uA (1)200A (1)200uA (1)250mA (1)250uA (21)500mA (1)500nA (1)500uA (17)

Custodia del transistor

D-PAK (10)D-PAK ( TO-252 ) (19)D-PAK ( TO-252AA ) (1)D-PAK TO-252AA (2)D2PAK (2)D2PAK ( TO-263 ) (5)DH-1 house, DIP-4 (5)DIP (5)DIP-4 (1)DIP4 (5)D²-PAK (9)HD-1 (2)HEXDIP (1)I-PAK (1)ISOPLUS247 (1)ISOPLUS247 ( TO-247 ) (1)ITO-220AB (1)MS-012 (5)PG-TO220-3 (1)SO (35)SO-8 (34)SO8 (27)SOP-8 (1)SOT-23 (25)SOT-23 ( TO-236 ) (12)SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ) (2)SOT-23 ( TO236 ) (7)SOT-23/6 (2)SOT-223 (8)SOT-223 ( TO-226 ) (2)SOT23 (9)SOT223 (1)SSOT (2)SSOT-3 ( SuperSOT-3 ) (1)SUPERSOT-6 (3)TO-3 (1)TO-3 ( TO-204 ) (2)TO-3 ( TO-204AA ) (1)TO-3P (1)TO-3P ( TO-218 SOT-93 ) (1)TO-18 (1)TO-18 ( TO-206 ) (1)TO-92 (6)TO-220 (22)TO-220AB (17)TO-220AB <.45/32nsec (1)TO-220F (4)TO-220FP (8)TO-236AB (4)TO-247 (5)TO-247AC (3)TO-251 ( I-Pak ) (5)TO-251AA ( I-PAK ) (3)TO-252 (10)TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) (1)TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) (13)TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ) (4)TO-263 (9)TO-264 (2)TO-264 ( 2-21F1C ) (1)TO-264 ( TOP-3L ) (3)TO220, TO220AB (6)TO220AB (7)TO247 (1)TO247, TO247AC (1)TO251AA, IPAK (1)TO252 (1)TO252AA (1)TO252AA, DPAK (2)TSMT6 (1)TSOP (4)TSOP-6 (1)saldatura PCB (27)saldatura PCB (SMD) (74)

SI2315BDS-T1-E3

Transistor a canale P SI2315BDS-T1-E3, SOT-23, -12V. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -12V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm...

0.62fr

Quantità in magazzino: 12623

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SI2319CDS-T1-GE3

Transistor a canale P SI2319CDS-T1-GE3, SOT-23, -40V. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -40V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Oh...

0.65fr

Quantità in magazzino: 2000

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SI2323DS-T1-E3

Transistor a canale P SI2323DS-T1-E3, SOT-23, -20V. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -20V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm]...

1.98fr

Quantità in magazzino: 3353

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SI2333CDS-T1-GE3

Transistor a canale P SI2333CDS-T1-GE3, SOT-23, -12V. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -12V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Oh...

0.99fr

Quantità in magazzino: 2126

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SI2333DDS-T1-GE3

Transistor a canale P SI2333DDS-T1-GE3, SOT-23, -12V. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -12V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Oh...

1.23fr

Quantità in magazzino: 8703

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SI3441BD

Transistor a canale P SI3441BD, 2.45A, 5nA, TSOP, TSOP-6, 20V. ID (T=25°C): 2.45A. Idss (massimo): 5nA. Alloggiamento: TSOP. Custodia (secondo scheda tecnica): TSOP-6. Voltaggio Vds(max): 20V. Assemb...

0.27fr

Quantità in magazzino: 2713

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SI4401BDY

Transistor a canale P SI4401BDY, 8.7A, 10uA, SO, SO-8, 40V. ID (T=25°C): 8.7A. Idss (massimo): 10uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 40V. Assemblaggio/...

1.57fr

Quantità in magazzino: 82

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SI4401DY

Transistor a canale P SI4401DY, 8.7A, 10uA, SO, SO-8, 40V. ID (T=25°C): 8.7A. Idss (massimo): 10uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 40V. Assemblaggio/i...

2.67fr

Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 4

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SI4425BDY

Transistor a canale P SI4425BDY, 11.4A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 11.4A. Idss (massimo): 5uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggi...

1.42fr

Quantità in magazzino: 36

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SI4431BDY-T1-E3

Transistor a canale P SI4431BDY-T1-E3, SO8, MS-012, -30V. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): MS-012. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore R...

1.46fr

Quantità in magazzino: 18549

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SI4431CDY-T1-GE3

Transistor a canale P SI4431CDY-T1-GE3, SO8, MS-012, -30V. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): MS-012. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore ...

0.86fr

Quantità in magazzino: 2286

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SI4435BDY

Transistor a canale P SI4435BDY, 7A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 7A. Idss (massimo): 5uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/inst...

0.57fr

Quantità in magazzino: 2093

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SI4435DDY

Transistor a canale P SI4435DDY, SO8. Alloggiamento: SO8. Assemblaggio/installazione: SMD. Carica: 50nC. DRUCE CORRENTE: -6.5A, -8.1A. Polarità: unipolari. Potenza: 5W. RoHS: sì. Tensione di gate-so...

1.27fr

Quantità in magazzino: 10

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SI4435DY

Transistor a canale P SI4435DY, 8.8A, 8.8A, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (massimo): 8.8A. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio...

1.01fr

Quantità in magazzino: 16

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SI4925BDY

Transistor a canale P SI4925BDY, 7.1A, 7.1A, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 7.1A. Idss (massimo): 7.1A. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggi...

1.38fr

Quantità in magazzino: 2249

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SI4925DDY

Transistor a canale P SI4925DDY, 7.3A, 7.3A, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 7.3A. Idss (massimo): 7.3A. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggi...

1.15fr

Quantità in magazzino: 48

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SI4948BEY

Transistor a canale P SI4948BEY, 2.4A, 2.4A, SO, SO-8, 60V. ID (T=25°C): 2.4A. Idss (massimo): 2.4A. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 60V. Assemblaggio/...

1.09fr

Quantità in magazzino: 264

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SI4948BEY-T1-GE3

Transistor a canale P SI4948BEY-T1-GE3, SO8, MS-012, 60V. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): MS-012. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rd...

1.98fr

Quantità in magazzino: 238

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SI9407BDY

Transistor a canale P SI9407BDY, 4.7A, 10nA, SO, SO-8, 60V. ID (T=25°C): 4.7A. Idss (massimo): 10nA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 60V. Assemblaggio/...

0.93fr

Quantità in magazzino: 44

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SI9435BDY

Transistor a canale P SI9435BDY, 5.3A, 5.3A, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 5.3A. Idss (massimo): 5.3A. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggi...

1.27fr

Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 26

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SI9953DY

Transistor a canale P SI9953DY, SO8, MS-012, -20V. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): MS-012. Tensione drain-source Uds [V]: -20V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm...

0.41fr

Quantità in magazzino: 34

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SPD08P06P

Transistor a canale P SPD08P06P, 8.8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (massimo): 10uA. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo ...

1.08fr

Quantità in magazzino: 92

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SPP08P06P

Transistor a canale P SPP08P06P, 8.8A, 1uA, TO-220, PG-TO220-3, 60V. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (massimo): 1uA. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): PG-TO220-3. Voltaggio Vds(max): ...

2.06fr

Prodotto obsoleto
Esaurito

SPP18P06P

Transistor a canale P SPP18P06P, 18.7A, 10uA, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=25°C): 18.7A. Idss (massimo): 10uA. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 60V....

2.22fr

Quantità in magazzino: 12

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