Transistor FET e MOSFET

248 prodotti disponibili nella categoria Transistor FET e MOSFET, tutti di produttori originali, ad esempio International Rectifier, Vishay, VISHAY IR, Zetex, Toshiba, e altri 42 produttori

Tensione massima Vds

-12V (6)-20V (13)-25V (1)-30V (23)-40V (1)-45V (2)-50V (4)-55V (3)-60V (1)-100V (8)-160V (1)-200V (4)-240V (1)-250V (1)20V (8)25V (2)30 v (29)30V (2)35V (2)40V (6)45V (1)50V (2)55V (11)60V (22)100V (16)150V (2)200V (19)250V (5)600V (1)630V (1)

Corrente massima (Id)

0.1A (1)0.1uA (1)0.7A (1)0.12A (1)0.23A (1)0.46A (1)0.56A (1)1.1A (2)1.5A (2)1.6A (1)1.8A (2)1A (1)1uA (12)2.3A (1)2.4A (1)2.45A (1)3.4A (1)3.5A (2)3.6A (1)3.7A (1)3A (3)4.1A (1)4.3A (3)4.4A (1)4.5A (1)4.6A (1)4.7A (1)4A (3)5.1A (1)5.3A (2)5.6A (1)5A (2)5mA (1)5nA (1)5uA (9)6.5A (1)6.6A (1)6.8A (2)6A (1)6mA (1)7.1A (1)7.3A (1)7A (1)8.7A (2)8.8A (7)8A (6)9.2A (1)9.4A (1)9A (1)9mA (1)10A (3)10mA (4)10nA (1)10uA (1)11.4A (1)11A (5)12.5A (1)12A (7)13A (2)14A (1)15A (2)15mA (1)16A (1)17A (1)18.7A (1)18A (2)19A (3)20A (1)20mA (1)21A (1)23A (2)24A (1)25mA (1)25uA (1)26A (1)27A (1)30A (1)31A (2)36A (1)38A (1)40A (2)46.4k Ohms (1)50uA (1)58A (1)60mA (1)70A (1)74A (1)80A (1)85A (1)90A (1)100nA (1)100uA (6)130mA (1)150uA (1)200A (1)200uA (1)250mA (1)250uA (21)500mA (1)500nA (1)500uA (17)

Custodia del transistor

D-PAK (10)D-PAK ( TO-252 ) (19)D-PAK ( TO-252AA ) (1)D-PAK TO-252AA (2)D2PAK (2)D2PAK ( TO-263 ) (5)DH-1 house, DIP-4 (5)DIP (5)DIP-4 (1)DIP4 (5)D²-PAK (9)HD-1 (2)HEXDIP (1)I-PAK (1)ISOPLUS247 (1)ISOPLUS247 ( TO-247 ) (1)ITO-220AB (1)MS-012 (5)PG-TO220-3 (1)SO (35)SO-8 (34)SO8 (27)SOP-8 (1)SOT-23 (25)SOT-23 ( TO-236 ) (12)SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ) (2)SOT-23 ( TO236 ) (7)SOT-23/6 (2)SOT-223 (8)SOT-223 ( TO-226 ) (2)SOT23 (9)SOT223 (1)SSOT (2)SSOT-3 ( SuperSOT-3 ) (1)SUPERSOT-6 (3)TO-3 (1)TO-3 ( TO-204 ) (2)TO-3 ( TO-204AA ) (1)TO-3P (1)TO-3P ( TO-218 SOT-93 ) (1)TO-18 (1)TO-18 ( TO-206 ) (1)TO-92 (6)TO-220 (22)TO-220AB (17)TO-220AB <.45/32nsec (1)TO-220F (4)TO-220FP (8)TO-236AB (4)TO-247 (5)TO-247AC (3)TO-251 ( I-Pak ) (5)TO-251AA ( I-PAK ) (3)TO-252 (10)TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) (1)TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) (13)TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ) (4)TO-263 (9)TO-264 (2)TO-264 ( 2-21F1C ) (1)TO-264 ( TOP-3L ) (3)TO220, TO220AB (6)TO220AB (7)TO247 (1)TO247, TO247AC (1)TO251AA, IPAK (1)TO252 (1)TO252AA (1)TO252AA, DPAK (2)TSMT6 (1)TSOP (4)TSOP-6 (1)saldatura PCB (27)saldatura PCB (SMD) (74)

SI2315BDS-T1-E3

Transistor a canale P SI2315BDS-T1-E3, SOT-23, -12V. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -12V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm...

0.62fr

Quantità in magazzino: 12623

Quantità per SI2315BDS-T1-E3 Aggiungi al carrello

SI2319CDS-T1-GE3

Transistor a canale P SI2319CDS-T1-GE3, SOT-23, -40V. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -40V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Oh...

0.65fr

Quantità in magazzino: 2000

Quantità per SI2319CDS-T1-GE3 Aggiungi al carrello

SI2323DS-T1-E3

Transistor a canale P SI2323DS-T1-E3, SOT-23, -20V. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -20V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm]...

1.98fr

Quantità in magazzino: 3353

Quantità per SI2323DS-T1-E3 Aggiungi al carrello

SI2333CDS-T1-GE3

Transistor a canale P SI2333CDS-T1-GE3, SOT-23, -12V. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -12V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Oh...

0.99fr

Quantità in magazzino: 2126

Quantità per SI2333CDS-T1-GE3 Aggiungi al carrello

SI2333DDS-T1-GE3

Transistor a canale P SI2333DDS-T1-GE3, SOT-23, -12V. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -12V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Oh...

1.23fr

Quantità in magazzino: 8703

Quantità per SI2333DDS-T1-GE3 Aggiungi al carrello

SI3441BD

Transistor a canale P SI3441BD, 2.45A, 5nA, TSOP, TSOP-6, 20V. ID (T=25°C): 2.45A. Idss (massimo): 5nA. Alloggiamento: TSOP. Custodia (secondo scheda tecnica): TSOP-6. Voltaggio Vds(max): 20V. Assemb...

0.27fr

Quantità in magazzino: 2713

Quantità per SI3441BD Aggiungi al carrello

SI4401BDY

Transistor a canale P SI4401BDY, 8.7A, 10uA, SO, SO-8, 40V. ID (T=25°C): 8.7A. Idss (massimo): 10uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 40V. Assemblaggio/...

1.57fr

Quantità in magazzino: 82

Quantità per SI4401BDY Aggiungi al carrello

SI4401DY

Transistor a canale P SI4401DY, 8.7A, 10uA, SO, SO-8, 40V. ID (T=25°C): 8.7A. Idss (massimo): 10uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 40V. Assemblaggio/i...

2.67fr

Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 4

Quantità per SI4401DY Aggiungi al carrello

SI4425BDY

Transistor a canale P SI4425BDY, 11.4A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 11.4A. Idss (massimo): 5uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggi...

1.42fr

Quantità in magazzino: 36

Quantità per SI4425BDY Aggiungi al carrello

SI4431BDY-T1-E3

Transistor a canale P SI4431BDY-T1-E3, SO8, MS-012, -30V. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): MS-012. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore R...

1.46fr

Quantità in magazzino: 18549

Quantità per SI4431BDY-T1-E3 Aggiungi al carrello

SI4431CDY-T1-GE3

Transistor a canale P SI4431CDY-T1-GE3, SO8, MS-012, -30V. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): MS-012. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore ...

0.86fr

Quantità in magazzino: 2286

Quantità per SI4431CDY-T1-GE3 Aggiungi al carrello

SI4435BDY

Transistor a canale P SI4435BDY, 7A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 7A. Idss (massimo): 5uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/inst...

0.57fr

Quantità in magazzino: 2093

Quantità per SI4435BDY Aggiungi al carrello

SI4435DDY

Transistor a canale P SI4435DDY, SO8. Alloggiamento: SO8. Assemblaggio/installazione: SMD. Carica: 50nC. DRUCE CORRENTE: -6.5A, -8.1A. Polarità: unipolari. Potenza: 5W. RoHS: sì. Tensione di gate-so...

1.27fr

Quantità in magazzino: 10

Quantità per SI4435DDY Aggiungi al carrello

SI4435DY

Transistor a canale P SI4435DY, 8.8A, 8.8A, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (massimo): 8.8A. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio...

1.01fr

Quantità in magazzino: 16

Quantità per SI4435DY Aggiungi al carrello

SI4925BDY

Transistor a canale P SI4925BDY, 7.1A, 7.1A, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 7.1A. Idss (massimo): 7.1A. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggi...

1.38fr

Quantità in magazzino: 2249

Quantità per SI4925BDY Aggiungi al carrello

SI4925DDY

Transistor a canale P SI4925DDY, 7.3A, 7.3A, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 7.3A. Idss (massimo): 7.3A. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggi...

1.15fr

Quantità in magazzino: 48

Quantità per SI4925DDY Aggiungi al carrello

SI4948BEY

Transistor a canale P SI4948BEY, 2.4A, 2.4A, SO, SO-8, 60V. ID (T=25°C): 2.4A. Idss (massimo): 2.4A. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 60V. Assemblaggio/...

1.09fr

Quantità in magazzino: 264

Quantità per SI4948BEY Aggiungi al carrello

SI4948BEY-T1-GE3

Transistor a canale P SI4948BEY-T1-GE3, SO8, MS-012, 60V. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): MS-012. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rd...

1.98fr

Quantità in magazzino: 238

Quantità per SI4948BEY-T1-GE3 Aggiungi al carrello

SI9407BDY

Transistor a canale P SI9407BDY, 4.7A, 10nA, SO, SO-8, 60V. ID (T=25°C): 4.7A. Idss (massimo): 10nA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 60V. Assemblaggio/...

0.93fr

Quantità in magazzino: 44

Quantità per SI9407BDY Aggiungi al carrello

SI9435BDY

Transistor a canale P SI9435BDY, 5.3A, 5.3A, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 5.3A. Idss (massimo): 5.3A. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggi...

1.27fr

Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 26

Quantità per SI9435BDY Aggiungi al carrello

SI9953DY

Transistor a canale P SI9953DY, SO8, MS-012, -20V. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): MS-012. Tensione drain-source Uds [V]: -20V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm...

0.41fr

Quantità in magazzino: 34

Quantità per SI9953DY Aggiungi al carrello

SPD08P06P

Transistor a canale P SPD08P06P, 8.8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (massimo): 10uA. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo ...

1.08fr

Quantità in magazzino: 92

Quantità per SPD08P06P Aggiungi al carrello

SPP08P06P

Transistor a canale P SPP08P06P, 8.8A, 1uA, TO-220, PG-TO220-3, 60V. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (massimo): 1uA. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): PG-TO220-3. Voltaggio Vds(max): ...

2.06fr

Prodotto obsoleto
Esaurito

SPP18P06P

Transistor a canale P SPP18P06P, 18.7A, 10uA, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=25°C): 18.7A. Idss (massimo): 10uA. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 60V....

2.22fr

Quantità in magazzino: 12

Quantità per SPP18P06P Aggiungi al carrello