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FET e MOSFET a canale N

1237 prodotti disponibili nella categoria FET e MOSFET a canale N, tutti di produttori originali, ad esempio Philips Semiconductors, Renesas Technology, Pmc, Diotec Semiconductor, Chino-excel Technology Corp., e altri 66 produttori

VNS3NV04DPTR-E

Transistor a canale N VNS3NV04DPTR-E, 3.5A, 75uA, 0.12 Ohms, SO, SO-8, 45V. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (massimo): 75uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.12 Ohms. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo sched...

2.96fr

Quantità in magazzino: 66

WMK38N65C2

Transistor a canale N WMK38N65C2, TO-220AB, 650V. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 650V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm]...

5.89fr

Quantità in magazzino: 82

YJP130G10B

Transistor a canale N YJP130G10B, 100V, 0.0055 Ohms, TO-220AB. Tensione drain-source (Vds): 100V. Rds sulla resistenza attiva: 0.0055 Ohms. Alloggiamento: TO-220AB. Corrente di assorbimento massima: 1...

1.79fr

Quantità in magazzino: 430

YJP200G06A

Transistor a canale N YJP200G06A, 60V, 0.0029 Ohms, TO-220AB. Tensione drain-source (Vds): 60V. Rds sulla resistenza attiva: 0.0029 Ohms. Alloggiamento: TO-220AB. Corrente di assorbimento massima: 200...

1.56fr

Quantità in magazzino: 369

YJP70G10A

Transistor a canale N YJP70G10A, 100V, 0.0086 Ohms. Tensione drain-source (Vds): 100V. Rds sulla resistenza attiva: 0.0086 Ohms. Corrente di assorbimento massima: 70A. Potenza: 125W. Tipo di canale: N...

1.06fr

Esaurito
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YTAF630

Transistor a canale N YTAF630, 10A, 10A, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 10A. Rds sulla resistenza attiva: 0.4 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo sc...

1.07fr

Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 596

ZVN2106G

Transistor a canale N ZVN2106G, SOT223. Alloggiamento: SOT223. : migliorato. Assemblaggio/installazione: SMD. DRUCE CORRENTE: 700mA, 0.7A. Polarità: unipolari. Potenza: 2W. Resistenza allo stato: 2 O...

1.67fr

Quantità in magazzino: 25

ZVN3306F

Transistor a canale N ZVN3306F, SOT-23, 60V. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [...

0.38fr

Quantità in magazzino: 1474

ZVN4206A

Transistor a canale N ZVN4206A, TO92. Alloggiamento: TO92. : migliorato. Assemblaggio/installazione: THT. DRUCE CORRENTE: 0.6A. Polarità: unipolari. Potenza: 0.7W. Resistenza allo stato: 1 Ohm. Tensi...

1.86fr

Quantità in magazzino: 25

ZVNL120A

Transistor a canale N ZVNL120A, 0.18A, 0.18A, 10 Ohms, TO-92, TO-92, 200V. ID (T=25°C): 0.18A. Idss (massimo): 0.18A. Rds sulla resistenza attiva: 10 Ohms. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo sch...

1.00fr

Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 66

$Transistor a canale N ZXMN7A11GTA, 3A, 3.8A, 1uA, 0.13 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 70V$

ZXMN7A11GTA

Transistor a canale N ZXMN7A11GTA, 3A, 3.8A, 1uA, 0.13 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 70V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 3.8A. Idss (massimo): 1uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.13 Ohms. Allog...

0.81fr

Quantità in magazzino: 155